近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雜志Semiconductor Today報(bào)道了中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所張子旸課題組與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉峰奇、王占國(guó)實(shí)驗(yàn)室合作研制中紅外寬譜光源陣列的最新成果。該成果發(fā)表在Optics Letters上。

　　中紅外寬譜光源基于半導(dǎo)體量子級(jí)聯(lián)材料，光源的有源層由30個(gè)重復(fù)的級(jí)聯(lián)周期組成，各周期之間通過(guò)低摻雜的n型InGaAs分隔開(kāi)。研究人員所設(shè)計(jì)的有源區(qū)能帶結(jié)構(gòu)如圖1所示，它采用了雙聲子共振結(jié)構(gòu)，一個(gè)周期的有源區(qū)包含四個(gè)耦合的應(yīng)變補(bǔ)償In0.678Ga0.322As/In0.365Al0.635As量子阱。這種結(jié)構(gòu)通過(guò)兩次光學(xué)聲子輔助弛豫來(lái)實(shí)現(xiàn)更高效的低能級(jí)載流子抽運(yùn)，從而增大粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，提高自發(fā)輻射效率。使用這種材料結(jié)構(gòu)的寬譜光源具有閾值電流密度更低、輸出功率更高等優(yōu)勢(shì)。

　　圖1：基于四阱耦合雙聲子共振的量子級(jí)聯(lián)能帶結(jié)構(gòu)

　　(來(lái)源：Semiconductor Today)

　　為了獲得抑制激射實(shí)現(xiàn)超輻射發(fā)光所需要的低反射率(小于10-6)，中紅外寬譜光源器件尺寸一般比較大，因此很難制備成集成的器件陣列結(jié)構(gòu)。研究人員所設(shè)計(jì)的寬譜光源器件波導(dǎo)結(jié)構(gòu)如圖2所示，這是一種雙溝道脊型分段波導(dǎo)器件結(jié)構(gòu)，由直條端、傾斜條形區(qū)、J型波導(dǎo)三部分組成。這種波導(dǎo)結(jié)構(gòu)通過(guò)兩次反射率的突變，利用比較小的器件尺寸就滿足了低反射率的要求�；�于這一結(jié)構(gòu)，研究人員制備了一系列寬譜光源陣列，得到了室溫連續(xù)輸出功率2.4mW，譜寬199cm-1，遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角20°。中紅外光源在大氣通信、空間遙感、化學(xué)檢測(cè)、醫(yī)療診斷等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。該工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和自然科學(xué)基金的資助支持。

　　圖2：中紅外量子級(jí)聯(lián)寬譜光源器件陣列示意圖。

　　左上：顯微圖像，右上：SEM圖像。(來(lái)源：Semiconductor Today)